GP2M008A060CG

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條
1

您是不是要找： GP2M008A060FG GP2M008A060FGH GP2M008A060HG GP2M008A060PG GP2M008A060PGH GP2M009A090FG GP2M009A090NG GP2M010A060F GP2M010A060H

GP2M008A060CG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

GP2M008A060CG 技術(shù)參數(shù)

GP2M007A080F 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.9 歐姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1410pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M005A060PGH 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M005A060HG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M005A060FG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:32.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M005A060CG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M010A065F GP2M010A065H GP2M011A090NG GP2M012A060F GP2M012A060H GP2M012A080NG GP2M013A050F GP2M020A050F GP2M020A050H GP2M020A050N GP2M020A060N GP2M023A050N GP2S24 GP2S24ABJ00F GP2S24BCJ00F GP2S24BJ000F GP2S24CJ000F GP2S24J0000F