GP2M007A080F

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

GP2M007A080F
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9960
GLOBAL PO
管件
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

GP2M007A080F
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
GPTG
NA
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： GP2M008A060CG GP2M008A060FG GP2M008A060FGH GP2M008A060HG GP2M008A060PG GP2M008A060PGH GP2M009A090FG GP2M009A090NG GP2M010A060F

GP2M007A080F PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

GP2M007A080F PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
制造商
global power technologies group
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
7A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
1.9 歐姆 @ 3.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
38nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
1410pF @ 25V
功率 - 最大值
50W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝
TO-220F
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

GP2M007A080F 技術(shù)參數(shù)

GP2M005A060PGH 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M005A060HG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M005A060FG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:32.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M005A060CG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2.1A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:658pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M005A050PG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:645pF @ 25V 功率 - 最大值:98.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GP2M010A060H GP2M010A065F GP2M010A065H GP2M011A090NG GP2M012A060F GP2M012A060H GP2M012A080NG GP2M013A050F GP2M020A050F GP2M020A050H GP2M020A050N GP2M020A060N GP2M023A050N GP2S24 GP2S24ABJ00F GP2S24BCJ00F GP2S24BJ000F GP2S24CJ000F