GP2M020A050H

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GP2M020A050H
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
GLOBAL PO
管件
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
制造商
global power technologies group
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
18A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
300 毫歐 @ 9A， 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
44nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
2880pF @ 25V
功率 - 最大值
290W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220
標準包裝
1

GP2M020A050H 技術參數(shù)

GP2M013A050F 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1798pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP2M012A080NG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:79nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3370pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2M012A060F 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1890pF @ 25V 功率 - 最大值:53.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP2M011A090NG 功能描述:MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 5.5A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3240pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2M010A065H 功能描述:MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:820 毫歐 @ 4.75A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1670pF @ 25V 功率 - 最大值:198W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP2S27T GP2S27T2J00F GP2S27T3J00F GP2S27T6J00F GP2S27TJ000F GP2S28 GP2S40 GP2S40J0000F GP2S40JJ000F GP2S60 GP2S60A GP2S60B GP2S700HCP GP2W0004XP GP2W0004XP0F GP2W0004YP GP2W0004YP0F GP2W0110YPS