參數(shù)資料
型號： FQPF11P06
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 60V P-Channel MOSFET
中文描述： 8.6 A, 60 V, 0.175 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 718K
代理商： FQPF11P06
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相關PDF資料
PDF描述
FQPF11N50CF 500V N-Channel MOSFET
FQP11N50CF 500V N-Channel MOSFET
FQPF12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF12P20 200V P-Channel MOSFET
FQPF12N20 200V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQPF12N20 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF12N20L 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF12N60 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF12N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQPF12N60C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 600V 12A TO-220F
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