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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FLL357ME |
| 廠(chǎng)商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段中等 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | FLL357ME |
2
FLL357ME
L-Band Medium & High Power GaAs FET
POWER DERATING CURVE
DRAIN CURRENT vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
4
12
16
8
0
50
100
150
200
2
0
4
6
8
10
Case Temperature (
°
C)
Drain-Source Voltage (V)
T
400
1200
800
D
VGS =0V
-0.5V
-1.5V
-2.0V
-1.0V
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS=10V
IDS
≈
0.6IDSS
f = 2.3 GHz
16
18
20
22
24
26
Input Power (dBm)
36
34
32
30
28
26
30
40
50
20
10
O
η
add
Pout
η
a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| FLL410IK-3C | 制造商:EUDYNA 制造商全稱(chēng):Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
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