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參數(shù)資料
| 型號： | FJV1845 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | FJV1845 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B1, August 2002
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. Static Characteristic
Figure 3. DC current Gain
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Collector Output Capacitance
Figure 6. Current Gain Bandwidth Product
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
I
B
=16
μ
A
I
B
=14
μ
A
I
B
=12
μ
A
I
B
=10
μ
A
I
B
=8
μ
A
I
B
=6
μ
A
I
B
=4
μ
A
I
B
=2
μ
A
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
20
40
60
80
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
B
=1.4
μ
A
I
B
=1.2
μ
A
I
B
=1.0
μ
A
I
B
=0.8
μ
A
I
B
=0.6
μ
A
I
B
=0.4
μ
A
I
B
=0.2
μ
A
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
V
CE
= 6V
Pule Test
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
C
=10I
B
Pulse Test
V
BE
(sat)
V
CE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
0.1
1
10
f=1MHz
I
E
=0
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.1
1
10
100
10
100
1k
10k
V
CE
=6V
f
T
[
C
I
E
[mA], EMITTER CURRENT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| FJV1845EMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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