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參數(shù)資料
| 型號： | FJV1845 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | FJV1845 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, August 2002
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE2
Classification
Classification
h
FE2
Parameter
Value
120
120
5
50
10
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
=120V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=6V, I
C
=0.1mA
V
CE
=6V, I
C
=1mA
V
CE
=6V, I
C
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE
=6V, I
C
=1mA
V
CB
=30V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
Typ.
Max.
50
50
Units
nA
nA
DC Current Gain
150
200
0.55
580
600
0.59
0.07
110
1.6
1200
0.65
0.3
V
V
50
MHz
pF
2.5
P
F
E
U
200 ~ 400
300 ~ 600
400 ~ 800
600 ~ 1200
FJV1845
Amplifier Transistor
Complement to FJV992
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1
2
3
6E
Marking
h
FE
Classification
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PDF描述 |
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| FJV1845EMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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