參數資料
型號： FJU1615
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數： 1/5頁
文件大?。?/td> 149K
代理商： FJU1615
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A. February 2001
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Band Width Product
C
ob
Output Capacitance
T
ON
Turn On Time
T
STG
Storage Time
T
F
Fall Time
*
Pulse Test : PW
≤
350
μ
s,Duty Cycle
≤
2%
h
FE1
Classification
Parameter
Ratings
-30
-20
-7
-10
1
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0
I
C
=-100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=-20V, I
E
=0
V
EB
=-7V, I
C
=0
V
CE
=-2V, I
C
=-0.5A
V
CE
=-2V, I
C
=-4A
I
C
=-4A, I
B
=-0.05A
I
C
=-4A, I
B
=-0.05A
V
CE
=-5V, I
C
=-1.5A
V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz
I
C
=-5A, I
B1
=-I
B2
=-0.125A
R
L
=2
, V
CC
=-10V
Min.
-30
-20
-7
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
-1.0
-1.0
600
DC Current Gain
200
160
-0.17
-0.9
180
220
80
300
60
-0.25
-1.2
V
V
MHz
pF
ns
ns
ns
Classification
h
FE1
L
K
200 ~ 400
300 ~ 600
FJU1615
For Output Amplifier of Electronic Flash Unit
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
High Performance at Low Supply Voltage
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PACK
1
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