參數(shù)資料
型號: FJP3307D
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
中文描述: 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: LEAD FREE, TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 155K
代理商: FJP3307D
2
www.fairchildsemi.com
FJP3307D Rev. 1.0.0
F
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted (Continued)
* Pulse test: PW
=
300
μ
s, Duty cycle
=
2%
h
FE
Classification
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
V
F
C
ob
t
STG
t
F
t
STG
t
F
Diode Forward Voltage
I
C
= 3A
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
2.5
V
Output Capatitance
60
pF
Storage Time
V
CC
= 125V, I
C
= 5A
I
B1
= -I
B2
= 1A, R
L
= 50
3
μ
s
Fall Time
0.7
μ
s
Storage Time
V
CC
= 30V, I
C
= 5A, L=200
μ
H
I
B1
=1A, R
BB
= 0
,
V
BE(OFF)
= -5V
V
CLAMP
= 250V
2.3
μ
s
Fall Time
150
ns
Classification
h
FE1
H1
H2
15 ~ 28
26 ~ 39
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PDF描述
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FJP5021 High Voltage and High Reliability
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參數(shù)描述
FJP3307D_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
FJP3307DH1 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP3307DH1TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP3307DH2 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP3307DH2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2