參數(shù)資料
型號： FJL4315
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Audio Power Amplifier
中文描述： 15 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： FJL4315
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, March 2003
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current(DC)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
* DC Current Gain
h
FE2
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
* Pulse Test : PW=20us
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
230
230
5
15
1.5
150
150
- 50 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=5mA, I
E
=0
I
C
=10mA, R
BE
=
∞
I
E
=5mA, I
C
=0
V
CB
=230V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1A
V
CE
=5V, I
C
=7A
I
C
=8A, I
B
=0.8A
V
CE
=5V, I
C
=7A
V
CE
=5V, I
C
=1A
V
CB
=10V, f=1MHz
Min.
230
230
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
uA
uA
5.0
5.0
160
55
35
60
0.4
1.0
30
200
3.0
1.5
V
V
MHz
pF
R
O
h
FE1
55 ~ 110
80 ~ 160
FJL4315
Audio Power Amplifier
High Current Capability : I
C
=15A
High Power Dissipation
Wide S.O.A
Complement to FJL4215
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-264
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FJL4315OTU_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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