參數(shù)資料
型號： FJE3303H2
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Applications
中文描述： 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： LEAD FREE, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： FJE3303H2
3
www.fairchildsemi.com
FJE3303 Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Resistive Load Switching Time
Figure 6. Resistive Load Switching Time
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
B
= 120 mA
I
B
= 40 mA
I
B
= 20 mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1E-3
0.01
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
1
10
100
V
CE
= 2V
Ta = 25
o
C
Ta = 75
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
h
F
,
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Ta = 75
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
Ta = 125
o
C
I
C
= 4 I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
Ta = 75
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
Ta = 125
o
C
I
C
= 4 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
0.01
0.1
1
10
t
F
t
STG
I
B1
= - I
= 0.2A
V
CC
= 125V
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
0.01
0.1
1
10
t
F
t
STG
I
B1
= 120mA, I
B2
= - 40mA
V
CC
= 310V
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
相關PDF資料
PDF描述
FJE3303 High Voltage Switch Mode Applications
FJE5304D High Voltage High Speed Power Switch Application
FJH1100 Ultra Low Leakage Diode
FJH1101 Ultra Low Leakage Diode
FJH1102 Ultra Low Leakage Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FJE3303H2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE5304D 功能描述:兩極晶體管 - BJT Sil Transistor NPN Triple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE5304D_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
FJE5304DTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/4A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*