參數(shù)資料
型號(hào)： FJE3303H1
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Applications
中文描述： 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： FJE3303H1
3
www.fairchildsemi.com
FJE3303 Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Resistive Load Switching Time
Figure 6. Resistive Load Switching Time
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
B
= 120 mA
I
B
= 40 mA
I
B
= 20 mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1E-3
0.01
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
1
10
100
V
CE
= 2V
Ta = 25
o
C
Ta = 75
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
h
F
,
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Ta = 75
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
Ta = 125
o
C
I
C
= 4 I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
Ta = 75
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
Ta = 125
o
C
I
C
= 4 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
0.01
0.1
1
10
t
F
t
STG
I
B1
= - I
= 0.2A
V
CC
= 125V
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
0.01
0.1
1
10
t
F
t
STG
I
B1
= 120mA, I
B2
= - 40mA
V
CC
= 310V
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
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PDF描述
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FJE3303H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT Silicon Transistor NPN Sil Xstr Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303H2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE5304D 功能描述:兩極晶體管 - BJT Sil Transistor NPN Triple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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