參數(shù)資料
型號： FJE3303
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Applications
中文描述： 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： FJE3303
4
www.fairchildsemi.com
FJE3303 Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Forward Biased Safe Operating Area
Figure 8. Reverse Biased Safe Operating Area
Figure 9. Power Derating
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
T
= 25
Single Pulse
o
C
100
μ
s
1ms
5ms
I
C
(Pulse)
I
C
(DC)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
100
1000
0.1
1
10
I
B1
= 1A, R
= 0
V
CC
= 50V, L =1 mH
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
30
P
C
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
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FJE3303H2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJE3303TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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