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參數(shù)資料
| 型號： | FJD5304DTM |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Fast Switching Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | FJD5304DTM |
3
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Resistive Load Switching Time
Figure 6. Forward Biased Safe Operating Area
0
2
4
6
8
10
12
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
B
=300mA
I
B
=150mA
I
B
=100mA
I
C
V
CE
[V]. COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
I
B
=50mA
0.01
0.1
1
10
1
10
100
T
C
= - 25
o
C
T
C
=25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
T
C
=125
o
C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
T
C
= - 25
o
C
T
C
=25
o
C
T
C
=125
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
I
C
= 5 I
B
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= - 25
o
C
T
C
=25
o
C
T
C
=125
o
C
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
I
C
= 5 I
B
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
F
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
V
CC
=250V
I
C
= 5 I
B1
= - 5 I
B2
t
STG
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1
μ
s
10
μ
s
Pulse I
C_MAX
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
T
C
= 25
Single Pulse
o
C
DC I
C_MAX
1ms
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PDF描述 |
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