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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FGA25N12ANTD |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 1200V NPT Trench IGBT |
| 中文描述： | 1200伏不擴(kuò)散核武器條約溝道IGBT |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 861K |
| 代理商： | FGA25N12ANTD |
3
www.fairchildsemi.com
FGA25N120ANTD Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 25A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
2.0
3.0
V
--
2.1
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 25A
dI/dt = 200 A/
μ
s
--
235
350
ns
--
300
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery Cur-
rent
--
27
40
A
--
31
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
3130
4700
nC
--
4650
--
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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