參數(shù)資料
型號： F49B002UA
廠商： Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
英文描述： 2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory
中文描述： 2兆位（256K × 8）5V的只有閃存的CMOS
文件頁數(shù)： 21/33頁
文件大?。?/td> 335K
代理商： F49B002UA
EFS T
F49B002UA
Elite Flash Storage Technology Inc.
Publication Date : Sep. 2006
Revision: 1.4 21/33
12. PROGRAMMING & ERASING OPERATION PERFORMANCE
Table 12. Erase And Programming Performance (Note.1)
Limits
Parameter
Typ.(2)
Max.(3)
Unit
Sector Erase Time
1.5
5
sec
Chip Erase Time
3
35
sec
Byte Programming Time
10
200
Us
Chip Programming Time
2
5
Sec
Erase/Program Cycles (1)
100,000
-
Cycles
Notes:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25°C, 5V.
3.Maximum values measured at 85°C, 4.5V.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
F49L004BA 4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
FLH0041G 0.2 Amp Linear Power Operational Amplifier in a Hermetic 12-lead Package
FLM3439-12F C-Band Internally Matched FET
FLM5359-12F C-Band Internally Matched FET
FM25L16 4Kb FRAM Serial 3V Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
F49B002UA-70D 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory
F49B002UA-70N 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2 Mbit (256K x 8) 5V Only CMOS Flash Memory
F49L004BA 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L004BA-70N 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
F49L004BA-70T 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4 Mbit (512K x 8) 3V Only CMOS Flash Memory
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