參數(shù)資料
型號(hào): F1003
廠商: Polyfet RF Devices
英文描述: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述: 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商: F1003
Physical Dimensions
inches (millimeters) unless otherwise noted
24-Lead Ceramic Dual-In-Line Package (0.400" Wide) (D)
NS Package Number J24E
24-Lead Ceramic Flatpak (F)
NS Package Number W24B
www.national.com
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
F100A05K TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 100A I(C) | MODULE-Q
F1013 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 2A I(D) | RFMOD
F1032U Analog IC
F1037DS Analog IC
F1038 Analog IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
F100302DCQB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Quint 2-input OR/NOR Gate
F100304 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:LOW POWER QUINT AND / NAND GATE
F100314 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:LOW POWER QUINT DIFFERENTIAL LINE RECEIVER
F100322 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:Low Power 9-Bit Buffer
F100322DC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Nine Bit Buffer