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參數(shù)資料
| 型號： | EDL1216AASA-75 |
| 英文描述： | Programmable VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 12-DFN T&R |
| 中文描述： | 內(nèi)存| 4X2MX16 |的CMOS | BGA封裝| 54PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 25/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 489K |
| 代理商： | EDL1216AASA-75 |
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EDL1216AASA
Data Sheet E0196E20 (Ver. 2.0)
31
Precharge Termination in READ Cycle
During a read cycle, the burst read operation is terminated by a precharge command.
When the precharge
command is issued, the burst read operation is terminated and precharge starts. The same bank can be activated
again after tRP from the precharge command. To issue a precharge command, tRAS must be satisfied.
When /CAS latency is 2, the read data will remain valid until one clock after the precharge command.
READ
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length = X, /CAS latency = 2
Q1
DQ
Command
Q2
Q3
Q4
ACT
tRP
PRE
Hi-Z
(tRAS must be satisfied)
Precharge Termination in READ Cycle (CL = 2)
When /CAS latency is 3, the read data will remain valid until two clocks after the precharge command.
READ
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length = X, /CAS latency = 3
DQ
Command
Q1
Q2
Q3
ACT
tRP
PRE
Hi-Z
T8
Q4
(tRAS must be satisfied)
Precharge Termination in READ Cycle (CL = 3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| EDL1216BASA-75 | Programmable VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 12-DFN T&R |
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| EDS1232AABB-60L | Programmable VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 24-QFN T&R |
| EDS1232AABB-75 | Programmable VCOM; Temperature Range: -40°C to 85°C; Package: 24-QFN T&R |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| EDL1216BASA-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
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| EDL1216CASA-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|4X2MX16|CMOS|BGA|54PIN|PLASTIC |
| EDL1216CASA-10-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits Mobile RAM |
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