- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384277 > EDD1232AAFA-6B-E (ELPIDA MEMORY INC) 128M bits DDR SDRAM (4M words x 32 bits) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | EDD1232AAFA-6B-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M bits DDR SDRAM (4M words x 32 bits) |
| 中文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, LQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 7/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 621K |
| 代理商： | EDD1232AAFA-6B-E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁當前第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁
EDD1232AABH
Data Sheet E0533E50 (Ver. 5.0)
7
Pin Capacitance (TA = +25°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V)
Parameter
Symbol
Pins
min.
typ.
max.
Unit
Notes
Input capacitance
CI1
CK, /CK
1
—
5
pF
1
CI2
All other input pins
1
—
4
pF
1
Data input/output capacitance
Notes: 1. These parameters are measured on conditions: f = 100MHz, VOUT = VDDQ/2,
VOUT = 0.2V,
TA = +25
°
C.
2. DOUT circuits are disabled.
CI/O
DQ, DM, DQS
1
—
6.5
pF
1, 2
AC Characteristics (TA = 0 to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
-6B
-7A
Parameter
Clock cycle time
(CL = 2)
Symbol
min.
max.
min.
max.
Unit
Notes
tCK
7.5
12
7.5
12
ns
10
(CL = 2.5)
tCK
6
12
7.5
12
ns
(CL = 3)
tCK
6
12
7.5
12
ns
CK high-level width
tCH
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
CK low-level width
tCL
0.45
0.55
0.45
0.55
tCK
CK half period
tHP
min
(tCH, tCL)
—
min
(tCH, tCL)
—
tCK
DQ output access time from CK, /CK
tAC
–0.7
0.7
–0.75
0.75
ns
2, 11
DQS output access time from CK, /CK
tDQSCK
–0.7
0.7
–0.75
0.75
ns
2, 11
DQS to DQ skew
tDQSQ
—
0.45
—
0.5
ns
3
DQ/DQS output hold time from DQS
tQH
tHP – 0.55
—
tHP – 0.75
—
ns
Data-out high-impedance time from CK, /CK tHZ
—
0.7
—
0.75
ns
5, 11
Data-out low-impedance time from CK, /CK
tLZ
–0.7
0.7
–0.75
0.75
ns
6, 11
Read preamble
tRPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK
Read postamble
tRPST
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
DQ and DM input setup time
tDS
0.45
—
0.5
—
ns
8
DQ and DM input hold time
tDH
0.45
—
0.5
—
ns
8
DQ and DM input pulse width
tDIPW
1.75
—
1.75
—
ns
7
Write preamble setup time
tWPRES
0
—
0
—
ns
Write preamble hold time
tWPREH
0.25
—
0.25
—
tCK
Write postamble
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
9
Write command to first DQS latching
transition
tDQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
tCK
DQS falling edge to CK setup time
tDSS
0.2
—
0.2
—
tCK
DQS falling edge hold time from CK
tDSH
0.2
—
0.2
—
tCK
DQS input high pulse width
tDQSH
0.35
—
0.35
—
tCK
DQS input low pulse width
tDQSL
0.35
0.35
—
tCK
Address and control input setup time
tIS
1.0
—
1.0
—
ns
8
Address and control input hold time
tIH
1.0
—
1.0
—
ns
8
Address and control input pulse width
tIPW
2.2
—
2.2
—
ns
7
Mode register set command cycle time
tMRD
2
—
2
—
tCK
Active to Precharge command period
tRAS
42
120000
45
120000
ns
Active to Active/Auto refresh command
period
tRC
60
—
67.5
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDD1232AAFA-7A-E | 128M bits DDR SDRAM (4M words x 32 bits) |
| EDD1232AABH-7A-E | GT 3C 3#16S PIN PLUG |
| EDD1232ABBH | 128M bits DDR SDRAM |
| EDD1232ABBH-5C-E | 128M bits DDR SDRAM |
| EDD2504AKTA-6B-E | 256M bits DDR SDRAM (64M words x 4 bits) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDD1232AAFA-7A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM (4M words x 32 bits) |
| EDD1232ABBH | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM |
| EDD1232ABBH-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM |
| EDD1232ACBH | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM |
| EDD1232ACBH-5B-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。