分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSC070N10NS3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

BSC070N10NS3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSC070N10NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 5,788 1:$2.74000
10:$2.34700
25:$2.11200
100:$1.91640
250:$1.72084
500:$1.48618
1,000:$1.25152
2,500:$1.13419
BSZ0901NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON 5,000 5,000:$1.00386
10,000:$0.96525
25,000:$0.94595
50,000:$0.92664
IPD034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 4,160 1:$2.60000
10:$2.22600
25:$2.00360
100:$1.81810
250:$1.63264
500:$1.41000
1,000:$1.18736
IPD034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 4,160 1:$2.60000
10:$2.22600
25:$2.00360
100:$1.81810
250:$1.63264
500:$1.41000
1,000:$1.18736
BSC070N10NS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 90A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 75µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4000pF @ 50V
功率 - 最大: 114W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TDSON-8
包裝: Digi-Reel®