分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD034N06N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPD034N06N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPD034N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 4,160 1:$2.60000
10:$2.22600
25:$2.00360
100:$1.81810
250:$1.63264
500:$1.41000
1,000:$1.18736
IPD034N06N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.4 毫歐 @ 100A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 93µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 11000pF @ 30V
功率 - 最大: 167W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: 剪切帶 (CT)