| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | 5,000 | 5,000:$1.00386 10,000:$0.96525 25,000:$0.94595 50,000:$0.92664 |
| IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | 4,160 | 1:$2.60000 10:$2.22600 25:$2.00360 100:$1.81810 250:$1.63264 500:$1.41000 1,000:$1.18736 |
| IPD034N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 | 4,160 | 1:$2.60000 10:$2.22600 25:$2.00360 100:$1.81810 250:$1.63264 500:$1.41000 1,000:$1.18736 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 40A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.1 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2600pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 69W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-TDFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |