參數(shù)資料
型號： DS1230ABP-100
廠商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類： Static RAM
英文描述： 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34
封裝： POWERCAP MODULE-34
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： DS1230ABP-100
DS1230Y/AB
5 of 12
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (cont'd)
DS1230AB-120
DS1230Y-120
DS1230AB-150
DS1230Y-150
DS1230AB-200
DS1230Y-200
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle
Time
tRC
120
150
200
ns
Access Time
tACC
120
150
200
ns
OE
to Output
Valid
tOE
60
70
100
ns
CE
to Output
Valid
tCO
120
150
200
ns
OE
or CE to
Output Active
tCOE
55
5
ns
5
Output High Z
from
Deselection
tOD
35
ns
5
Output Hold
from Address
Change
tOH
55
5
ns
Write Cycle
Time
tWC
120
150
200
ns
Write Pulse
Width
tWP
90
100
ns
3
Address Setup
Time
tAW
00
0
ns
Write Recovery
Time
tWR1
tWR2
5
15
5
15
5
15
ns
12
13
Output High Z
from WE
tODW
35
ns
5
Output Active
from WE
tOEW
55
5
ns
5
Data Setup
Time
tDS
50
60
80
ns
4
Data Hold Time
tDH1
tDH2
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1230AB-85 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85 ns, PDIP28
DS1230AB-70 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP28
DS1230YP-100 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA34
DS1230Y-150 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP28
DS1230W-150 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DIP28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1230ABP-100+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-P100IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230AB-P120 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
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