- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄97858 > DS1225Y-200 (DALLAS SEMICONDUCTOR) 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | DS1225Y-200 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | DS1225Y-200 |
MAX381/MAX383/MAX385
Precision, Low-Voltage Analog Switches
4
_______________________________________________________________________________________
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Single +5V Supply
(V+ = +5V ±10%, V- = 0V, GND = 0V, VINH = 2.4V, VINL = 0.8V, TA = TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
(Note 2)
UNITS
Analog Signal Range
VCOM,
VNO,
VNC
0V
V+
V
(Note 3)
On-Resistance
RON
25
65
V+ = 5.0V, V- = 0V,
VNC or VNO = 3.5V,
ICOM = 1.0mA,
VINH = 2.4V,
VINL = 0.8V
On-Resistance Match
Between Channels (Note 4)
RON
VNC or VNO = 3V,
ICOM = 1.0mA,
V+ = 5V
On-Resistance Flatness
(Note 4)
RFLAT(ON)
VNC or VNO = 3V, 2V,
1V; ICOM = 1.0mA;
V+ = 5V; V- = 0V
NC or NO Off Leakage
Current (Note 8)
INC(OFF)
or
INO(OFF)
-0.2
-0.01
0.2
nA
VCOM = 0V,
VNC or VNO = 4.5V,
V+ = 5.5V, V- = 0V
COM Off Leakage Current
(Note 8)
ICOM(OFF)
-0.2
-0.01
0.2
nA
VCOM = 4.5V,
VNC or VNO = 0V,
V+ = 5.5V, V- = 0V
COM On Leakage Current
(Note 8)
ICOM(ON)
-0.4
-0.04
0.4
nA
VCOM = 4.5V,
VNC or VNO = 4.5V,
V+ = 5.5V, V- = 0V
TA = +25°C
TA = TMIN
to TMAX
75
-2.5
2.5
-5.0
5.0
TA = TMIN
to TMAX
TA = TMIN
to TMAX
TA = TMIN
to TMAX
C, E
M
C, E
M
C, E
M
-5.0
5.0
-2.5
2.5
-20.0
20.0
-5.0
5.0
M
C, E
TA = +25°C
-0.2
-0.04
0.2
C, E
M
C, E
M
-0.1
-0.01
0.1
-0.1
-0.01
0.1
TA = TMIN
to TMAX
TA = +25°C
TA = TMIN
to TMAX
TA = +25°C
C, E, M
C, E
M
C, E, M
8
C, E, M
6
C, E, M
4
C, E, M
0.5
2
60
CONDITIONS
TEMP.
RANGE
Input Current with Input
Voltage High
IINH
A
VIN = 2.4V, all others = 0.8V
-1.0
0.005
1.0
Input Current with Input
Voltage Low
IINL
A
VIN = 0.8V, all others = 2.4V
-1.0
0.005
1.0
SWITCH
DIGITAL LOGIC INPUT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230AB-120 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120 ns, DMA28 |
| DS1230AB-150 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA28 |
| DS1230AB-100 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA28 |
| DS1230ABP-70 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| DS1230Y-70 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA28 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1225Y-200+ | 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1225Y-200IND | 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1225Y-200-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64K Nonvolatile SRAM |
| DS1225Y-200IND+ | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1227 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:KickStarter Chip |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。