半導體器件主要污染物總結
晶圓氧化層的去除
硅單晶的定向
硅襯底制備工藝簡介
四氯化硅氫氣還原法外延原理
熱氧化工藝及生長原理討論
擴散方法
隔離工藝
二氧化硅-硅系統(tǒng)中的電荷
硅－硅直接鍵合工藝機理和模擬的研究
場區(qū)寄生MOSFET
版圖設計的準備工作
二氧化硅層的主要作用
氧化及熱處理
CVD
PVD
鈍化工藝
面向未來的IC設計方法
硅片鍵合技術的分類
金-硅共熔鍵合
玻璃靜電鍵合
硅-硅直接鍵合技術的特點和發(fā)展
親水鍵合的工藝過程
疏水硅-硅直接鍵合
Si-Ge共熔鍵合
硅-硅直接鍵合單項工藝的發(fā)展
鍵合SOI
智能剝離技術（Smart-cut）
硅-硅直接鍵合技術在MEMS上的進展
mems表面犧牲層
硅-硅直接鍵合的界面應力
鍵合應力的基本模型
薄膜的鍵合應力
擴散系數(shù)隨雜質濃度變化時的雜質分布
用力來表征的測量方法
氧化層模型研究
硅-硅直接鍵合雜質分布模型
工藝模型驗證
半導體硅片RCA清洗技術
21世紀硅微電子技術展望
什么是硅晶片
加工硅晶片
半導體硅片的化學清洗技術-硅片的化學清洗工藝原理
半導體硅片DHF清洗技術
半導體硅片SC-2清洗技術
新的硅片清洗技術
內存硅片邏輯（芯片邏輯）
硅片邏輯？
退火溫度對碳注入外延硅藍光發(fā)射特性的影響
可制造性設計對90納米以下設計流程的影響
買賣網(wǎng)硅、硅技術資料、硅開發(fā)技術
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