應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:原廠型號 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片 | 批號:2014

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:原廠型號 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SMD | 批號:2014

應(yīng)用范圍:帶阻尼 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PDTC123JE

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMBT3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BC327-40 | 封裝形式:TO-92

產(chǎn)品類型:小信號 | 是否進口:是 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BAV99/SOT-23 | 材料:硅(SI) | 封裝:SOT-23 | 工作溫度范圍:-65°C 到 +150°C（℃） | 功耗:0.5W | 針腳數(shù):3 | 批號:2013

品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PZT2222A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFG540 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT143

品牌:NXP/恩智浦 | 型號:2N7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:音響 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:/ | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大允許電流ICM:/

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:9014 8050 8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23 SOT89 SOT92 | 屬性:屬性值

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMBT3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:- | 集電極最大允許電流ICM:100M | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:- | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:-

應(yīng)用范圍:微波 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFR92A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFR93A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.3 | 集電極最大允許電流ICM:0.035 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:6 | 結(jié)構(gòu):點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:15

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BC859CW | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.1 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):外延型 | 產(chǎn)品類型:其他 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 放大倍數(shù)hFE:420~800 | 封裝:SOT-323 | 擊穿電壓VCEO:-30

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PMBT3904 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFT92 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BC817-25 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

類型:邏輯IC | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:SAA7134HL/V1，557 | 封裝:DIP/SOP | 批號:12+

類型:邏輯IC | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:TDA11206H/N3/3，557 | 封裝:DIP/SOP | 批號:12+

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BAV99W | 材料:其他 | 封裝形式:SOT23