應用范圍:開關 | 品牌:長電 | 型號:CJ431K | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

品牌:LRC | 型號:LBSS138LT1G SOT-23 粵華聯(lián)MOS三極管LRC代理 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:SIT靜電感應 | 包裝形式:3000 pcs/卷 | 批號:2013+

品牌:LRC | 型號:LNTR4003NLT1G SOT-23粵華聯(lián)MOS三極管LRC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SIT靜電感應 | 包裝形式:3000 pcs/卷

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT3906LT1G | 材料:硅(SI) | 封裝形式:貼片型

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:TL431 SOT-23 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT5551 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:23 | 集電極最大允許電流ICM:200M | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:3A | 結構:點接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:40

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3123 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 截止頻率fT:1400

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3125 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 截止頻率fT:600

應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC3098 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.15 | 集電極最大允許電流ICM:0.05 | 截止頻率fT:3500

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC2756 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應用范圍:放大 | 品牌:Panasonic/松下 | 型號:2SC2778-C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:0.03 | 截止頻率fT:230

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA1461 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.2 | 截止頻率fT:510

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SA1226 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.03 | 截止頻率fT:400

應用范圍:開關 | 品牌:CJ長電 | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:SS8050DY1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:0 | 結構:平面型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:40

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:SS8050LT1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:-23

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:S8050 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-223

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:SS8050LT1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:sot | 功率:標準 | 批號:13+ | 封裝:SOT-23