品牌:LRC | 型號:LNTR4003NLT1G SOT-23粵華聯(lián)MOS三極管LRC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SIT靜電感應 | 包裝形式:3000 pcs/卷

應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SA720(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2SC1318Y(TO-92/92L封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:C945(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2SC1815Y(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:S9012H/S9013H(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:S8050D/S8550D(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:78L05(TO-92封裝） | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:56 | 集電極最大允許電流ICM:0.8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:開關 | 品牌:長電 | 型號:S9014(TO-92) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:50 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:50

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SC2383-Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92L

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:S8550D | 封裝形式:TO-92

應用范圍:開關 | 品牌:長電 | 型號:BC857 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 類別:雙極小信號 | 晶體管類型:PNP | 配置:單

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:BC546 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:to-92

品牌:長電 | 型號:BT136 | 控制方式:單向 | 極數(shù):三極 | 封裝材料:金屬封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:小功率 | 額定正向平均電流:*（A） | 控制極觸發(fā)電流:*（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:*（A） | 反向重復峰值電壓:*（V）

品牌:長電 | 型號:CJ3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產品類型:肖特基 | 是否進口:是 | 封裝:SOT-23

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:1N4148 | 材料:鍺(Ge)

產品類型:其他 | 品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:KSC1008-Y | 封裝形式:TO--92 | 結構:平面型 | 類別:直插 | 發(fā)貨期限:1 | 應用范圍:放大