品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SSS7N60B | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥50 個(gè)
¥2.20
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):TK7Q60W | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FGPF7N60LSD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.10
類型:其他IC | 品牌:士蘭 | 型號(hào):SVD7N60F | 封裝:TO-220F | 批號(hào):最新
≥2000 PCS
¥0.95
品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:WG | 型號(hào):WGF7N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
1-99 個(gè)
¥2.00
≥100 個(gè)
¥1.60
品牌:華晶 | 型號(hào):CS7N60FB9D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥3 個(gè)
¥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FCP7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
≥1 個(gè)
¥0.10
品牌:晶圓 | 型號(hào):7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥100 個(gè)
¥0.01
品牌:Cmos | 型號(hào):CMB7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):4N60-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:1
≥2000 個(gè)
¥0.80
品牌:MAGNACHIP | 型號(hào):7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-999 個(gè)
¥2.00
1000-4999 個(gè)
¥1.30
≥5000 個(gè)
¥1.28
品牌:SL 士蘭微, | 型號(hào):7N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 K
¥1.10
≥1 個(gè)
¥1.00
類型:其他IC | 品牌:SILAN/士蘭微 | 型號(hào):SVF7N60F | 功率:W | 封裝:TO-220F | 批號(hào):12+
≥1000 PCS
¥0.01
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDPF7N60NZ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥1.40
品牌:HOMSEMI/宏矽 | 型號(hào):HS7N60 TO-220/TO-220F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
≥1000 個(gè)
¥2.00
類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):STGF7NB60SL | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 最大漏極電流:0 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:0 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:0 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0 | 最大耗散功率:0 | 低頻跨導(dǎo):0