品牌:AK | 型號:AKF10N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:VA/場輸出級 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:韓國飛虹FEIHONLTD | 型號:FHF10N60代用FQPF10N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVF10N60F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 類型:其他IC | 批號:14+ | 封裝:TO-220F

品牌:NIEC/英達 | 型號:60KQ10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:韓國信安Truesemi | 型號:10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGIB10B60KD1PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:ST/意法 | 型號:STP10NK70 STP10NK80 STP10NK60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOT10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應用范圍:其他

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SKB10N60 | 種類:TO-263 | 溝道類型:TO-263 | 導電方式:TO-263

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDPF12N60NZ | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:10+ | 產(chǎn)品類型:其他 | 封裝:TO-220F

品牌:AUK | 型號:SMN10F60WF/SMN10U60WF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:驅動IC | 品牌:FeiHong | 型號:FHP10N60 | 封裝:TO220 | 批號:2012+

類型:驅動IC | 品牌:FeiHong | 型號:FHF10N60 | 封裝:TO220F | 批號:2012+

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK10A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOW10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 應用范圍:其他

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AOB10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應用范圍:其他

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK10A60D/TK13A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插