品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):HUF76137P3 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個(gè)
¥3.00
品牌:ME | 型號(hào):ME75N80C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插
≥100 個(gè)
¥0.30
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFS4710PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
¥8.00
≥100 個(gè)
¥7.30
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1012R-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-2999 個(gè)
¥0.40
3000-11999 個(gè)
¥0.35
≥12000 個(gè)
¥0.30
品牌:ST/意法 | 型號(hào):75N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.90
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):HUF76137P | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 30V:75A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥100 個(gè)
¥0.70
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF1404ZPBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 產(chǎn)品類型:其他 | 應(yīng)用范圍:功率
品牌:ON/安森美 | 型號(hào):NTB75N03L09T4G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥50 個(gè)
¥2.30
種類:場(chǎng)效應(yīng)管 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):PHP165NQ08T
≥10 PCS
¥3.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFS3207 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-49 個(gè)
¥7.00
≥50 個(gè)
¥6.50
品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):1MBH75D-060S,1MBH75D-090 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插
≥100 個(gè)
¥0.50
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW75N06 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TOI-247 | 應(yīng)用范圍:功率
≥10 PCS
¥2.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP4368 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷
≥50 個(gè)
¥15.50
品牌:APEC/富鼎 | 型號(hào):AP6679GH | 種類:絕緣柵(MOSFET),絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道,N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型,增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大,L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝,SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道,GE-N-FET鍺N溝道 | 電壓:-30V | 電流:-75A
1-9 個(gè)
¥1.40
10-9999 個(gè)
¥1.35
≥10000 個(gè)
¥1.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFU024N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥1.00
品牌:NIKOS | 型號(hào):P75N02LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.16
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXTH75N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI) | 屬性:屬性值
≥5 個(gè)
¥7.50
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號(hào):SVD75N08T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
2000-9999 個(gè)
¥1.60
≥10000 個(gè)
¥1.44