參數(shù)資料
型號： CGD1044HI
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率放大器
英文描述： Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
封裝： CGD1044HI<SOT115J|<<<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： CGD1044HI
CGD1044HI
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 29 September 2010
4 of 8
NXP Semiconductors
CGD1044HI
1 GHz, 25 dB gain GaAs high output power doubler
6.
Package outline
Fig 1.
Package outline SOT115J
UNIT
A2
max.
c
ee1
q
Q
max.
q1
q2
U2
U1
W
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
20.8
9.5
0.51
0.38
0.25 27.2
2.04
2.54
13.75 2.54 5.08 12.7 8.8
4.15
3.85
2.4
38.1 25.4 10.2 4.2
44.75
44.25
8.2
7.8
0.25
0.1
3.8
bF
p
6-32
UNC
y
w
0.7
x
S
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT115J
0
5
10 mm
scale
A
max.
D
max.
L
min.
E
max.
Z
max.
Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;
2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads
SOT115J
D
U1
q
q2
q1
b
F
S
A
Z
p
E
A2
L
c
d
Q
U2
M
w
78
9
23
W
e
e1
5
p
1
d
x M B
y M B
B
04-02-04
10-06-18
y M B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CGD985HCI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
CGD985HCI 1 GHz, 25 dB gain GaAs high output power doubler
CGD987HCI Hybrid amplifier module in a SOT115J package, operating at a supply voltage of 24 V (DC), employing Hetero junction Field Effect Transistor (HFET) GaAs dies.
CGY1032 1 GHz, 32 dB gain GaAs push-pull amplifier
CGY1041 1 GHz, 21 dB gain GaAs push-pull amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CGD1044HI,112 功能描述:射頻放大器 1GHz,25 dB gain GaAs H-output PWR doubler RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
CGD1044HI/01A,112 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHACGD1044HI/01A,112 1 GHZ, 25 DB GAIN G
CGD1044HI/01B,112 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHACGD1044HI/01B,112 HYBRID AMPLIFIER MO
CGD1044HI112 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
CGD1046HI,112 功能描述:射頻放大器 1CH 4.5dB 24V 450mA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*