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參數資料
| 型號： | CEB09N6 |
| 英文描述： | 600V N Channel MOS |
| 中文描述： | 600V的?頻道馬鞍山 |
| 文件頁數： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | CEB09N6 |
4-46
4
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
t
V
V
t
t
d(on)
OUT
IN
on
r
10%
t
d(off)
90%
10%
10%
50%
50%
90%
t
off
t
f
90%
PULSE WIDTH
INVERTED
T
Square Wave Pulse Duration (msec)
Figure 13. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
r
V
DD
R
D
V
V
R
S
V
G
GS
IN
GEN
OUT
L
V
G
,
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
I
D
,
CEP09N6/CEB09N6
15
12
9
6
3
0
0
12
24
48
60
72
84
96
108
V
DS
=480V
I
D
=9A
2
1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
P
DM
t
1
t
2
1. R
JC
(t)=r (t) * R
JC
2. R
JC
=See Datasheet
3. T
JM-
T
C
= P* R
JC
(t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
100
10
0.1
1
10
100
1000
V
GS
=20V
Tc=25 C
Single Pulse
R
DS
(ON Lmt
1
40
500
10
t
100
s
1ms
DC100ms
D=0.01
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEP09N6 | 600V N Channel MOS |
| CEB10N4 | 450V N Channel MOS |
| CEP10N4 | 450V N Channel MOS |
| CEP10N6 | 600V N Channel MOS |
| CEB10N6 | 600V N Channel MOS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CEB09N7A | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB09N7G | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB1012 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Transistor |
| CEB1012L | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB10N4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:450V N Channel MOS |
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