VDD = 1.8 to 2.7" />
參數(shù)資料
型號: C8051F530A-TB
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù): 148/220頁
文件大小: 0K
描述: BOARD TARGET/PROTO W/C8051F530A
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
類型: MCU
適用于相關(guān)產(chǎn)品: C8051F530A
所含物品:
產(chǎn)品目錄頁面: 626 (CN2011-ZH PDF)
相關(guān)產(chǎn)品: 336-1486-5-ND - IC 8051 MCU 8K FLASH 20TSSOP
336-1485-5-ND - IC 8051 MCU 8K FLASH 20QFN
其它名稱: 336-1489
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁當(dāng)前第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁
Rev. 1.4
33
C8051F52x/F53x
Table 2.9. Flash Electrical Characteristics
VDD = 1.8 to 2.75 V; –40 to +125 C unless otherwise specified
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Flash Size
’F520/0A/1/1A and ’F530/0A/1/1A
’F523/3A/4/4A and ’F533/3A/4/4A
’F526/6A/7/7A and ’F536/6A/7/7A
7680
4096
2048
——
bytes
Endurance2
VDD VRST-HIGH
1
20 k
150 k
Erase/Write
Erase Cycle Time
27
32
38
ms
Write Cycle Time
57
65
74
s
VDD
Write/Erase Operations
VRST-HIGH
1
——
V
Notes:
1. See Table 2.8 on page 32 for the
VRST-HIGH specification.
2. For –I (industrial Grade) parts, flash should be programmed (erase/write) at a minimum temperature of 0
°C
for reliable flash operation across the entire temperature range of –40 to +125
°C. This minimum
programming temperature does not apply to –A (Automotive Grade) parts.
Table 2.10. Port I/O DC Electrical Characteristics
VREGIN = 2.7 to 5.25 V, –40 to +125 °C unless otherwise specified
Parameters
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Output High
Voltage
IOH = –3 mA, Port I/O push-pull
IOH = –10 A, Port I/O push-pull
IOH = –10 mA, Port I/O push-pull
VREGIN 0.4
VREGIN 0.02
VREGIN 0.7
V
Output Low
Voltage
VREGIN = 2.7 V:
IOL = 70 A
IOL = 8.5 mA
VREGIN = 5.25 V:
IOL = 70 A
IOL = 8.5 mA
45
550
40
400
mV
Input High
Voltage
VREGIN x 0.7
V
Input Low
Voltage
——
VREGIN x
0.3
V
Input
Leakage
Current
Weak Pullup Off
C8051F52xA/53xA:
Weak Pullup On, VIN = 0 V; VREGIN = 1.8 V
C8051F52x/52xA/53x/53xA:
Weak Pullup On, VIN = 0 V; VREGIN = 2.7 V
Weak Pullup On, VIN = 0 V; VREGIN = 5.25 V
5
20
65
±2
15
50
115
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RBM08DTKT CONN EDGECARD 16POS DIP .156 SLD
UVR1H472MRD6 CAP ALUM 4700UF 50V 20% RADIAL
C8051F500-TB BOARD PROTOTYPE W/C8051F500
SDR-S SCOTCH CODE REFILL S
SK472M016ST CAP ALUM 4700UF 16V 20% RADIAL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
C8051F530-C-AT 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
C8051F530-C-ATR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
C8051F530-C-IM 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:25 MIPS, 8 KB, 256, SPI, UART, LIN 2.1, QFN20 - Rail/Tube 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC MCU 8051 8KB FLASH 20DFN
C8051F530-C-IMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:25 MIPS, 8 KB, 256, SPI, UART, LIN 2.1, QFN20 - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC MCU 8051 8KB FLASH 20DFN
C8051F530-C-IT 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:25 MIPS, 8 KB, 256, SPI, UART, LIN 2.1, TSSOP20 - Rail/Tube 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC MCU 8051 8KB FLASH 20TSSOP