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CSD19505KTT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CSD19505KTT
    CSD19505KTT

    CSD19505KTT

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生 13360533550

    電話:0755-83289799

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路漢國(guó)城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 29154

  • 22+

  • -
  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • CSD19505KTT
    CSD19505KTT

    CSD19505KTT

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • TI/德州儀器

  • TO-263

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • CSD19505KTTT
    CSD19505KTTT

    CSD19505KTTT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國(guó)上海

  • 100

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • CSD19505KTT
    CSD19505KTT

    CSD19505KTT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19505KTTT
    CSD19505KTTT

    CSD19505KTTT

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 14200

  • TI

  • TO-263-3

  • 2022+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十,電話:0...

  • CSD19505KTT
    CSD19505KTT

    CSD19505KTT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 28105

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD19505KTTT
    CSD19505KTTT

    CSD19505KTTT

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心3204室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格h...

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條 
  • 1
CSD19505KTT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 200A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 3.1 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
  • 76nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
  • 7920pF @ 40V
  • 功率 - 最大值
  • 300W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DDPAK/TO-263-3
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD19505KTT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD19505KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 100A,6V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):76nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7820pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19503KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.2 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2730pF @ 40V 功率 - 最大值:188W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19502Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.1 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4870pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19502Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.1 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4870pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD19501KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.6 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3980pF @ 40V 功率 - 最大值:217W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD19532Q5B CSD19532Q5BT CSD19533KCS CSD19533Q5A CSD19533Q5AT CSD19534KCS CSD19534Q5A CSD19534Q5AT CSD19535KCS CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T
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