型號: | BZX84C6V8LT1 |
廠商: | 樂山無線電股份有限公司 |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) |
中文描述: | 半導體(技術參數(shù)) |
文件頁數(shù): | 2/10頁 |
文件大小: | 452K |
代理商: | BZX84C6V8LT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BZX84C12V | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZX84C | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZX84C10V | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZX84C11V | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
BZX84C56 | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BZX84C6V8LT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX84C6V8LT3 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX84C6V8LT3G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX84C6V8S-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 6.8V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZX84C6V8S-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 6.8V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |