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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZX84C6V8LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) |
| 中文描述： | 半導(dǎo)體（技術(shù)參數(shù)） |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 452K |
| 代理商： | BZX84C6V8LT1 |
BZX84-V-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85763
Rev. 1.7, 14-Jul-05
www.vishay.com
1
18078
1
2
3
Small Signal Zener Diodes
Features
These diodes are also available in other
case styles and other configurations
including: the SOD-123 case with type
designation BZT52 series, the dual zener
diode common anode configuration in the SOT-23
case with type designation AZ23 series and the
dual zener diode common cathode configuration
in the SOT-23 case with type designation DZ23
series.
The Zener voltages are graded according to the
international E 24 standard. Standard Zener volt-
age tolerance is ± 5 %. Replace "C" with "B" for
± 2 % tolerance.
Silicon Planar Power Zener Diodes
Lead (Pb)-free component
Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
Mechanical Data
Case:
SOT-23 Plastic case
Weight:
approx. 8.8 mg
Packaging Codes/Options:
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Power dissipation
1)
Device on fiberglass substrate, see layout.
Thermal Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Thermal resistance junction to ambient air
1)
Device on fiberglass substrate, see layout.
Test condition
Symbol
P
tot
Value
300
1)
Unit
mW
Test condition
Symbol
R
thJA
T
j
T
S
Value
420
1)
150
Unit
°C/W
Junction temperature
°C
Storage temperature range
- 65 to + 150
°C
e3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZX84C12V | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZX84C | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZX84C10V | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZX84C11V | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZX84C56 | SILIICON PLANAR VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZX84C6V8LT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX84C6V8LT3 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX84C6V8LT3G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX84C6V8S-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 6.8V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZX84C6V8S-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 6.8V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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