型號: | BZT55C18 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
中文描述: | 硅外延平面的Z -二極管 |
文件頁數(shù): | 6/6頁 |
文件大?。?/td> | 82K |
代理商: | BZT55C18 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BZT55C18 L0G | 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 |
BZT55C18 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 18V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R |
BZT55C18 L1G | 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 |
BZT55C18-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
BZT55C18-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |