參數(shù)資料
型號： BZT55C56
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述： 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： BZT55C56
TELEFUNKEN Semiconductors
BZT55C...
1
Rev. A1: 12.12.1994
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Very high stability
Low noise
Available with tighter tolerances
Applications
Voltage stabilization
94 9373
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
R
thJA
300K/W
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
C
C
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
500
Unit
K/W
Junction ambient
on PC board 50mmx50mmx1.6mm
Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Forward voltage
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BZT55C56 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 56V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R
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BZT55C56-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 56 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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