參數(shù)資料
型號(hào)： BZT55C16
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： 1-of-8 Decoder 16-SSOP/QSOP -40 to 85
中文描述： 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 82K
代理商： BZT55C16
TELEFUNKEN Semiconductors
BZT55C...
3
Rev. A1: 12.12.1994
Typical Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0
40
80
120
160
0
100
300
400
500
600
P
t
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
200
95 9602
200
Figure 1 : Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
–60
0
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
60
120
180
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
Z
240
95 9599
V
Ztn
=V
Zt
/V
Z
(25
°
C)
TK
VZ
=10
10
–4
/K
8
6
10
–4
/K
10
–4
/K
–4
10
–4
/K
4
2
10
–4
/K
10
–4
/K
–2
10
–4
/K
0
Figure 3 : Typical Change of Working Voltage vs. Junction
Temperature
0
5
10
15
0
50
100
150
200
C
D
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9601
20
T
j
=25
°
C
V
R
=2V
Figure 5 : Diode Capacitance vs. Z–Voltage
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
V
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9598
I
Z
=5mA
T
j
=25
°
C
Figure 2 : Typical Change of Working Voltage under Operating
Conditions at T
amb
=25 C
0
10
20
30
–5
0
5
10
15
T
V
V
Z
– Z-Voltage ( V )
50
95 9600
40
Z
–
I
Z
=5mA
Figure 4 : Temperature Coefficient of Vz vs. Z–Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
95 9605
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
T
j
=25
°
C
Figure 6 : Forward Current vs. Forward Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZT55C18 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZT55C47 Quad 2-Input Multiplexer 16-SOIC -40 to 85
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參數(shù)描述
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BZT55C16-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 16 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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