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參數(shù)資料
| 型號： | BYV32E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | ECONOLINE: RQS & RQD - 1kVDC Isolation- Internal SMD Construction- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- Efficiency to 80% |
| 中文描述： | 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BYV32E |
Philips Semiconductors
Product specification
Rectifier diodes
ultrafast, rugged
BYV32E, BYV32EB series
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
C
Electrostatic discharge
capacitor voltage
Human body model;
C = 250 pF; R = 1.5 k
-
8
kV
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL PARAMETER
R
th j-mb
Thermal resistance junction
to mounting base
R
th j-a
Thermal resistance junction
to ambient
CONDITIONS
per diode
both diodes
SOT78 package, in free air
SOT404 and SOT428 packages, pcb
mounted, minimum footprint, FR4 board
MIN.
-
-
-
-
TYP. MAX. UNIT
-
2.4
-
1.6
60
-
50
-
K/W
K/W
K/W
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
characteristics are per diode at T
j
= 25 C unless otherwise stated
SYMBOL
PARAMETER
V
F
Forward voltage
CONDITIONS
I
F
= 8 A; T
j
= 150C
I
F
= 20 A
V
R
= V
RWM
; T
j
= 100 C
V
= V
I
F
= 2 A; V
R
≥
30 V; -dI
F
/dt = 20 A/
μ
s
I
= 1 A; V
≥
30 V;
-dI
/dt = 100 A/
μ
s
I
F
= 0.5 A to I
= 1 A; I
rec
= 0.25 A
I
F
= 1 A; dI
F
/dt = 10 A/
μ
s
MIN.
-
-
-
-
-
-
TYP.
0.72
1.00
0.2
6
8
20
MAX.
0.85
1.15
0.6
30
12.5
25
UNIT
V
V
mA
μ
A
nC
ns
I
R
Reverse current
Q
s
t
rr1
Reverse recovery charge
Reverse recovery time
t
rr2
V
fr
Reverse recovery time
Forward recovery voltage
-
-
10
1
20
-
ns
V
July 1998
2
Rev 1.200
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| BYV32E150 | 制造商:PHILIPS 功能描述:* |
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