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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUZ11A |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel 50V-0.045Ω-26A -TO-220 STripFETTM Power MOSFET(功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道50V -0.045Ω- 26A條至220 STripFETTM功率MOSFET（功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | BUZ11A |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
1.67
62.5
o
C/W
o
C/W
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 30V)
30
A
E
AS
120
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
50
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
j
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 1 mA
2.1
3
4
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V
I
D
= 19 A
0.045
0.055
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25 V
I
D
= 19 A
10
17
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
1400
200
50
pF
pF
pF
SWITCHING
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Turn-on Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 30 V
R
GS
= 4.7
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
18
95
50
20
ns
ns
ns
ns
BUZ11A
2/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BX2606LNL | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX1196L | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX2128 | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX2243H | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
| BX2274J | BROADBAND ACCESS: xDSL, HPN, CMCs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUZ11ACHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP |
| BUZ11AL | 制造商:Siemens 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB |
| BUZ11CHIP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | CHIP |
| BUZ11FI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220VAR |
| BUZ11-NR4941 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 |
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