參數(shù)資料
型號： BUK9621-30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 50 A, 30 V, 0.021 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： BUK9621-30
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9621-30
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
)
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1E-05
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
2%
typ
98%
0
0.2
0.4
Source-Drain voltage, VSDS (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
10
20
30
40
50
PHP50N03LT
Source-Drain diode current, IF(A)
VGS = 0 V
175 C
Tj = 25 C
1
10
100
100
1000
10000
PHP50N03LT
Drain-source voltage, VDS (V)
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
10
20
30
40
0
5
10
15
PHP50N03LT
Qg, Gate charge (nC)
VGS, Gate-Source voltage (Volts)
VDD = 30 V
ID = 25 A
Tj = 25 C
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
July 1997
5
Rev 1.000
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PDF描述
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