參數(shù)資料
型號： BUK9608-56
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標(biāo)）場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標(biāo)）晶體管邏輯電平場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 68K
代理商： BUK9608-56
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9608-55
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 0.25 mA;
MIN.
55
50
1.0
0.5
-
-
-
-
-
10
TYP.
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
-
-
MAX.
-
-
2.0
-
2.3
10
500
1
10
-
UNIT
V
V
V
V
V
μ
A
uA
μ
A
μ
A
V
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
T
j
= 175C
T
j
= -55C
I
DSS
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 175C
I
GSS
Gate source leakage current
V
GS
=
±
5 V; V
DS
= 0 V
T
j
= 175C
±
V
(BR)GSS
Gate-source breakdown
voltage
Drain-source on-state
resistance
I
G
=
±
1 mA;
R
DS(ON)
V
GS
= 5 V; I
D
= 25 A
-
-
6.5
-
8
17
m
m
T
j
= 175C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
g
fs
Forward transconductance
C
iss
Input capacitance
C
oss
Output capacitance
C
rss
Feedback capacitance
t
d on
Turn-on delay time
t
r
Turn-on rise time
t
d off
Turn-off delay time
t
f
Turn-off fall time
L
d
Internal drain inductance
CONDITIONS
V
DS
= 25 V; I
D
= 25 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
MIN.
40
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
90
5200
840
350
45
120
225
100
3.5
MAX.
-
6900
1000
480
60
170
300
135
-
UNIT
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
V
DD
= 30 V; I
D
= 25 A;
V
GS
= 5 V; R
G
= 10
Measured from upper edge of drain
tab to centre of die
Measured from source lead
soldering point to source bond pad
L
s
Internal source inductance
-
7.5
-
nH
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
75
UNIT
A
-
-
-
-
-
-
240
1.2
-
-
-
A
V
V
ns
μ
C
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 75 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
0.85
1.0
65
0.18
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
April 1998
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9618-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9621-30 TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9624-55 TrenchMOS transistor Logic level FET
BUK9624-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9628-55 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9609-40B /T3 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9609-40B,118 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9609-55A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET
BUK9609-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9609-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*