參數(shù)資料
型號： BUK9606-55
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
中文描述： TrenchMOS（商標(biāo)）場效應(yīng)晶體管邏輯電平（TrenchMOS（商標(biāo)）晶體管邏輯電平場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/7頁
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代理商： BUK9606-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9606-55A
Fig.13. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.14. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.15. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.16. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.17. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.18. Switching test circuit.
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
T
VDS/V
Ciss
Coss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
20
40
60
80
100
120
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
QG/nC
VDS =
14V
44V
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
VSDS/V
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
20
40
60
80
100
IF/A
Tj/C =
175
25
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
January 1999
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK9608-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9618-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
BUK9621-30 TrenchMOS transistor Logic level FET
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BUK9624-56 TrenchMOS（TM）transistor Logic level FET(TrenchMOS（TM）晶體管邏輯電平FET)
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參數(shù)描述
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BUK9606-55B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-channel TrenchMOSTM logic level FET
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