參數(shù)資料
型號： BUK95R2-40B
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS logic level FET
中文描述： TrenchMOS邏輯電平場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： BUK95R2-40B
Philips Semiconductors
BUK95/963R2-40B
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 16 January 2003
7 of 15
9397 750 10844
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s
Fig 5.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03nh56
0
50
100
150
200
250
300
350
0
2
4
6
8
10
VDS (V)
ID
(A)
2.2
VGS = 3 V
4
10
5
03nh55
2
3
4
5
0
5
10
15
VGS (V)
RDSon
(m
)
03nh57
2
4
6
8
0
50
100
150
200
250
300
350
ID (A)
RDSon
(m
)
10
5
4
VGS = 3 V
3.2
3.4
3.6
3.8
03aa27
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
----------------------------
=
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PDF描述
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