參數(shù)資料
型號： BUK7735-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220F
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 20A條（?。﹟至220F
文件頁數(shù)： 7/13頁
文件大?。?/td> 297K
代理商： BUK7735-55A
Philips Semiconductors
BUK7728-55A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 01 — 13 February 2001
7 of 13
9397 750 08001
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= V
GS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa32
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-60
-20
20
60
100
140
Tj (oC)
180
VGS(th)
(V)
max.
typ.
min
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
0
1
2
3
4
5
max
typ
min
VGS (V)
ID
(A)
03na45
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
ID (A)
gfs
03na48
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
10-2
10-1
1
10
102
VDS (V)
C (pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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