參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7735-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220F
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 20A條（?。﹟至220F
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大小： 297K
代理商： BUK7735-55A
Philips Semiconductors
BUK7728-55A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 01 — 13 February 2001
6 of 13
9397 750 08001
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
Source-drain diode
V
SD
source-drain (diode forward)
voltage
t
rr
reverse recovery time
Q
r
recovered charge
I
S
= 15 A; V
GS
= 0 V;
Figure 15
0.95
1.2
V
I
S
= 20 A; dI
S
/dt =
100 A/
μ
s;
V
GS
=
10 V; V
DS
= 30 V
45
88
ns
nC
Table 5:
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Symbol Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 15 A
Fig 6.
Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03na46
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
2
4
6
8
10
VDS (V)
ID
4.5
6
8
7
10
12
16
9
VGS (V) = 20
03na44
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
5
10
15
20
VGS (V)
RD)
(m
03na47
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ID (A)
VGS (V) = 6
10
9
8
7
6.5
RD)
(m
03nc24
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
a
-60
-20
20
60
100
140
Tj (oC)
180
a
R
DSon 25 C
°
)
---------------------------
=
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PDF描述
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