參數(shù)資料
型號： BUK7616-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 65.7 A, 55 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大小： 306K
代理商： BUK7616-55A
Philips Semiconductors
BUK7516-55A; BUK7616-55A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 01 — 18 January 2001
8 of 15
9397 750 07682
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03na31
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
10
VGS (V)
ID
(A)
Tj = 25 oC
Tj = 175 oC
03na33
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
QG (nC)
VGS
(V)
VDD= 44V
VDD= 14V
03na32
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25 oC
Tj = 175 oC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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