參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7616-55A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 65.7 A, 55 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/15頁(yè)
文件大?。?/td> 306K
代理商： BUK7616-55A
Philips Semiconductors
BUK7516-55A; BUK7616-55A
TrenchMOS standard level FET
Product specification
Rev. 01 — 18 January 2001
3 of 15
9397 750 07682
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03na19
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
Tmb (oC)
200
Pder (%)
03aa24
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
Tmb (oC)
175
200
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03nc01
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
D.C.
100 ms
10 ms
RDSon = VDS/ ID
1 ms
tp = 10 us
100 us
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7618-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7618-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7620-55 TrenchMOS（TM）transistor Standard level FET(TrenchMOS（TM）晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平FET)
BUK7621-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7728-55A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220F
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參數(shù)描述
BUK7616-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7616-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7618-30 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
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BUK7618-55 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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